【电信学院】低维全无机钙钛矿发光中心起源探讨:争议、挑战和解析方法

讲座标题:【电信学院】低维全无机钙钛矿发光中心起源探讨:争议、挑战和解析方法

主讲人: 王茺

讲座时间:2019-12-02 09:30:00

讲座地点:电计楼B402会议室

讲座语言:中文

主办单位:电子与信息工程学院


讲座内容:

    近年来,具有高荧光效率的低维全无机CsPb2Br5Cs4PbBr6钙钛矿因在光电子和光伏领域应用上的巨大潜力而备受关注。然而,人们对这些低维全无机钙钛矿的带隙值和发光起源等基本物理性质尚存在巨大争议。为了揭示CsPb2X5 (X=Br, Cl, or I)Cs4PbBr6完整的光学性质,并终结这些争议,我们采用不同的溶液合成方法分别制备了发光和不发光CsPb2X5 (X=Br, Cl, or I)Cs4PbBr6钙钛矿材料。采用相同微区“静态”与“动态”荧光—拉曼光谱技术相结合的方法,并结合计入HSE杂化函数、完全相对论赝势和自旋-轨道耦合效应的密度泛函理论计算,证实CsPb2Br5晶体是具有禁带宽度值为3.45 eV的间接带隙半导体,而且准确证明了附着在CsPb2Br5纳米薄片边界上的CsPbBr3纳米晶是导致CsPb2Br5薄片边界发光的起源。后续制备出来的卤族掺杂钙钛矿CsPb2Br5-xXxX=ClI)化合物的边界发光行为也被证实为起源于与之对应的CsPbBr3-xXxX=ClI)纳米晶。采用相似的方法,我们也证明纯Cs4PbBr6是间接宽带隙半导体,不发射可见光,而内嵌在Cs4PbBr6钙钛矿中的CsPbX3纳米晶是导致Cs4PbBr6通体发绿光的原因。我们的发现为理解全无机钙钛矿物理化学性质和发展基于它们的光电器件奠定了坚实基础。

 



主讲人简介:

王茺,理学博士,研究员,博士生导师,云南省引进高层次人才,“中青年学术技术带头人后备人才”培育计划。担任中国材料研究学会青年工作委员会理事。共主持包括国家自然科学基金、教育部科学研究重点项目以及云南省科技厅—云南大学“双一流建设”联合基金等15个科研项目。迄今已发表SCI收录论文80余篇(其中以第一和通讯作者发表45篇),代表性论文刊登在Advanced Materials,Chemical Communications, Optics Express,Applied Surface Science和Nanotechnology等期刊上,共被引用1000余次。获得8项发明专利和2项实用新型专利的授权。先后获得云南省科学技术奖励(科技进步类)特等奖1次,(自然科学类)一等奖1次,(自然科学类)二等奖2次。已培养硕士研究生23名,其中2名获得云南省优秀硕士学位论文。